스트레인게이지 - 하프 브리지 타입

다음 그림은 반 브리지 타입 I에서 스트레인 게이지 저항의 축 설정 위치를 보여줍니다.

다음 그림은 반 브리지 타입 I에서 스트레인 게이지 저항의 굽힘 설정 위치를 보여줍니다.

반 브리지 타입 I 스트레인 게이지 설정에는 다음과 같은 특징이 있습니다:

• 두 활성 스트레인 게이지 요소가 있으며, 한 요소는 축 변형률의 방향으로 장착되고 포아송 게이지로 작동하는 다른 요소는 주응력 방향의 변형률 축에 수평이나 수직 방향으로 장착됩니다.
• 반 브리지 완성을 제공하는 완성 저항이 있습니다.
• 축과 굽힘 변형률을 감지합니다.
• 온도를 보정합니다.
• 물질의 포아송 비로 인한 주요 변형률 측정의 축적된 영향을 보정합니다.
• 1000 µε에서 감도는 ~ 0.65 mVout / VEX 입력입니다.

 

 

반 브리지 타입 I 회로 다이어그램

 

회로 다이어그램에서는 다음 기호가 사용됩니다.

• R1은 반 브리지 완성 저항입니다.
• R2는 반 브리지 완성 저항입니다.
• R3은 포아송 효과(-ε) 때문에 발생하는 압축을 측정하는 활성 스트레인 게이지 요소입니다.
• R4는 인장 변형률(+ε)을 측정하는 활성 스트레인 게이지 요소입니다.
• VEX는 구동 전압입니다.
• RL은 도선 저항입니다.
• VCH는 측정된 전압입니다.

다음 식은 전압 비율을 반 브리지 타입 I 설정의 변형률 단위로 변환합니다.

이때 Vr은 전압-변형률 변환 방정식에서 버추얼 채널이 사용하는 전압 비율, GF는 게이지 인자, v는 포이송 비, RL은 도선 저항, Rg는 일반 게이지 저항입니다.

 

 

 

반 브리지 타입 II 설정은 굽힘 변형률만을 측정합니다.

다음 그림은 반 브리지 타입 II에서 스트레인 게이지 저항의 굽힘 설정 위치를 보여줍니다.

반 브리지 타입 II 스트레인 게이지 설정에는 다음과 같은 특징이 있습니다:

• 두 활성 스트레인 게이지 요소가 있으며, 한 요소는 변형률 시편의 위쪽에 축 변형률의 방향으로 장착되고 다른 요소는 아래쪽에 축 변형률의 방향으로 장착됩니다.
• 반 브리지 완성을 제공하는 완성 저항이 있습니다.
• 굽힘 변형률을 감지합니다.
• 축 변형률을 무시합니다.
• 온도를 보정합니다.
• 1000 µε에서 감도는 ~ 1 mVout / VEX 입력입니다.

 

 

반 브리지 타입 II 회로 다이어그램

 

회로 다이어그램에서는 다음 기호가 사용됩니다.

• R1은 반 브리지 완성 저항입니다.
• R2는 반 브리지 완성 저항입니다.
• R3은 압축 변형률(-ε)을 측정하는 활성 스트레인 게이지 요소입니다.
• R4는 인장 변형률(+ε)을 측정하는 활성 스트레인 게이지 저항입니다.
• VEX는 구동 전압입니다.
• RL은 도선 저항입니다.
• VCH는 측정된 전압입니다.

다음 식은 전압 비율을 반 브리지 타입 II 설정의 변형률 단위로 변환합니다.

이때 Vr은 전압-변형률 변환 방정식에서 버추얼 채널이 사용하는 전압 비율, GF는 게이지 인자, RL은 도선 저항, Rg는 공칭 게이지 저항입니다.

 

반 브리지 타입 I - NI

반 브리지 타입 II - NI